拓荆科技:拟以9.3亿元投建半导体先进工艺装备研发与产业化项目

拓荆科技:拟以9.3亿元投建半导体先进工艺装备研发与产业化项目

集微网消息 日前,拓荆科技表示公告,公司拟使用超募资金9.3亿元用于半导体先进工艺装备研发与产业化项目建设。

据其表示,本项目将在上海市自由贸易试验区临港新片区建设研发与产业化基地,用于先进ALD设备及工艺的研发,并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。本项目的实施,将助推公司业务规模的持续增长,同时,也有助于公司不断加强自身在细分领域的竞争优势,始终保持业内领先地位。

本项目通过布局半导体先进工艺装备的研发与产业化,以满足集成电路晶圆制造产线的需求,有利于推动集成电路关键设备的发展,是落实国家产业规划、实现我国集成电路产业链高端设备供给自主可控的必要举措。

随着集成电路芯片技术的迭代升级,芯片结构复杂度不断提高,对薄膜性能的要求也日益提高。这一趋势对薄膜沉积设备提出了更高的技术要求,市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加。

本项目通过新建研发及生产环境,在现有技术储备的基础上,研制适用于先进技术节点的薄膜沉积设备,并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化,有利于提升产品技术水平及核心竞争力,并巩固行业领先地位。

随着半导体行业整体景气度的提升,全球半导体设备市场呈现快速增长态势,拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。Maximize Market Research预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将达到340亿美元,2020年-2025年期间保持年复合13.3%的增长速度。

本项目通过布局适用于先进制程领域的半导体设备,可以进一步提高逻辑电路、存储芯片等集成电路制造设备领域的市场份额,在即将到来的新兴应用领域及其所需高端芯片的增长期中夺得先机,进而抓住市场机遇迅速扩大企业规模。(校对/邓文标)

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